湖北日報訊 （記者李墨、通訊員華健）6月4日，武漢新芯積體電路製造有限公司透露，其自主研發的50納米浮柵式代碼型閃存（SPI NOR Flash）芯片已全線量產。

目前，在全球NOR Flash存儲芯片領域，業界通用技術為65納米。武漢新芯新一代50納米技術，已逼近此類芯片的物理極限，無論是存儲單元面積還是存儲密度，均達到國際先進水準。

據瞭解，武漢新芯50納米閃存技術於2019年12月取得突破，隨後投入量產準備。從65納米到50納米的躍升，武漢新芯用了18個月。

Flash指非易失性存儲介質。此次量產產品為寬電源電壓產品系列XM25QWxxC，容量覆蓋16兆到256兆。性能測試顯示，在1.65伏至3.6伏電壓範圍內，該系列NOR Flash存儲芯片的工作頻率可達133兆赫，即使在零下40℃或105℃這種極端溫度下，依然不會停止「芯跳」。其無障礙重複擦寫可達10萬次，數據保存時間長達20年。

研發人員介紹，作為NOR Flash存儲芯片中的「閃電俠」，該芯片在連續讀取模式下，能實現高效的存儲器訪問，僅需8個時鐘的指令週期，即可讀取24位地址。不僅如此，它還可使便攜式設備的電池壽命延長1.5倍以上，令用戶通過寬電壓功能實現更好的庫存管理。

「對此次研發而言，最難的挑戰是速度、功耗和可靠性。」武漢新芯運營中心副總裁孫鵬說，隨著50納米NOR閃存的重大突破，武漢新芯將在性能和成本上進一步提高競爭力，針對快速發展的物聯網和5G市場，持續研發自有品牌的閃存產品，不斷拓展產品線。

近期，武漢新芯與業內領先的物聯網核心芯片和解決方案平台樂鑫科技達成長期戰略合作，雙方將圍繞物聯網應用市場，在物聯網、存儲器芯片與應用方案開發上展開合作。樂鑫科技CEO張瑞安表示，武漢新芯NOR Flash存儲芯片，支持低功耗、寬電壓工作，能滿足該平台全系物聯網芯片、智能家居及工業模組的應用要求。

武漢新芯成立於2006年，專注於NOR Flash存儲芯片的研發製造，並以全球領先的半導體三維集成製造技術，在圖像傳感器、射頻芯片、DRAM存儲器等產品上，不斷實現性能和架構突破。